日本研发出6G芯片:单载波速度高达100Gbps

远洋| IT之家 | 2019-12-31

【流媒体网】摘要：据报道，NTT研发了磷化铟（InP）化合物半导体制造的6G超高速芯片，并在300GHz频段进行了高速无线传输实验，结果显示，当采用ASK调制时的速率为20Gbps；当采用16QAM调制时可达到6G的峰值速率100Gbps。

　　5G还未普及，很多国家就已经开始投入6G的技术研究，日本NTT集团旗下NTT设备技术实验室Hideyuki NOSAKA、Hiroshi HAMADA等专家近期撰文介绍了所研发的面向6G太赫兹无线通信的超高速芯片技术。

　　据报道，NTT研发了磷化铟（InP）化合物半导体制造的6G超高速芯片，并在300GHz频段进行了高速无线传输实验，结果显示，当采用ASK调制时的速率为20Gbps；当采用16QAM调制时可达到6G的峰值速率100Gbps。

　　另外，在100Gbps无线传输速度表现中，仅以单一载波完成，意味未来持续增加载波聚合数量的话，将能实现更高传输速度，借此让6G网络传输速度与可使用频宽可达5G网络的40倍以上。

　　据悉，NTT Docomo等大型电信运营商将从明年春天开始提供5G服务，但是预计其服务区域最初将主要覆盖大城市。

责任编辑：李楠

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