三星投3万亿韩元扩产DRAM工厂

佚名| 环球网| 2017-05-05

　　【流媒体网】摘要：三星电子最近向设备合作企业通报拟投资扩建17线，并在3月向部分企业下单。有推测认为，投资规模约为月产35000张300mm硅晶圆，以投资金额计约为2.5-3万亿韩元。三星将在此生产10纳米DRAM，预计订货、设备生产等一系列步骤将在2017年年末或2018年年初完成，2017年下半年即可开始初步生产。

　　据韩国电子新闻Etnews5月1日报道，韩国三星电子计划投资近3万亿韩元(约合人民币183亿元)，扩充位于京畿道华城工厂17线DRAM产能。若投资完成，华城工厂将再没有多余空间，三星计划在17线生产增产DRAM、3D NAND闪存以及系统半导体。

　　业界相关消息称，三星电子最近向设备合作企业通报拟投资扩建17线，并在3月向部分企业下单。有推测认为，投资规模约为月产35000张300mm硅晶圆，以投资金额计约为2.5-3万亿韩元。三星将在此生产10纳米DRAM，预计订货、设备生产等一系列步骤将在2017年年末或2018年年初完成，2017年下半年即可开始初步生产。

　　报道称，由于华城工厂11线今后将专门用于生产CMOS和CIS等，三星为弥补产能损失，决定扩建17线。此前，11线在生产图像传感器的同时，有部分空间用来生产DRAM。

　　华城工厂分为4部分，内部名称也有所不同，17线用来生产DRAM，16-2线用于生产3D NAND闪存而S3线用来生产10纳米系统大规模集成电路。

　　业界相关人士称，半导体行业投资以月为单位变化，竞争激烈，本次投资是为弥补11线用途转变导致的产能不足和制程微缩损失，对DRAM供求基本没有影响。

　　报道称，三星还计划在17线旁另建新厂，用来生产7纳米系统半导体。

责任编辑：高龙

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